Краткое описание работы устройства глубокой очистки поверхности стекла.
1. Стадия грубой очистки (химико-механический способ).
Цель: удаление тяжелых загрязнений с целью увеличения производительности последующих тонких способов очистки.
Метод осуществления:
На поверхность стекла наносится адсорбирующий состав с растворителем, который растворяет и размягчает загрязнения, одновременно связывая их с адсорбентом. Затем механическим способом, при помощи торцовой щетки, адсорбировавшие загрязнения удаляются.
Рис.1 Схема метода грубой очистки.
2. Основная стадия очистки поверхности (использование энергонасыщенной пульсирующей ударной волны).
Цель: глубокая очистка поверхности.
Метод осуществления:
Оставшиеся загрязнения, имеющие высокую адгезию с поверхностью и минимальную толщину, удаляются при помощи энергонасыщенной пульсирующей ударной волны газа (водяного пара с параметрами t=l 50°С , р=3...4атм). Особенностью метода является его новизна (отсутствие аналогов), высокая производительность и качество, основанные на эффекте 8-ми кратного увеличения давления в отраженной волне у поверхности и создании турбулентных завихрений очень высокой интенсивности у обрабатываемой поверхности. Технически этот метод осуществляется при помощи циклического импульсного пневмоизлучателя турбинного типа. Для получения сверхзвуковых скоростей истечения ударной волны применены сопла Лаваля.
Рис.2 Схема основной стадии очистки.
3. Ультразвуковая стадия очистки (завершающая).
Цель: полное исключение вторичных незначительных загрязнений, возможных после предыдущего этапа, которые вызваны цикличностью работы импульсного пневмоизлучателя.
Метод осуществления:
Возможные вторичные загрязнения имеют минимальные размеры и адгезию т к адгезия с поверхностью разрушена „а нредьиущей стадии очистки S процесс окончательной очистки основан „а использовании строго направленной струи пара, несущей ультразвуковое излучение что не допускает возможности наличия остаточных загрязнений после процесса очистки. Направленная струя пара несущая ультразвуковое излучение формируется при помощи излучателя, состоящего из свистка Гальтона, экрана и концентратора
Рис.3 Схема ультразвукового излучателя
<< вернуться на предыдущую страницу
